研究成果

ここには、2006年東北大学に移動以降の平山グループの主な成果を掲載します。新しい成果、抜けているものにつきましては順次加えて行きます。

我々は半導体中でのキャリア相関の研究を、特に核スピンとの相互作用に着目して進めてきました。ν=2/3における電子スピン/核スピンの相互作用を用いて高感度抵抗検出NMRを確立し、様々な研究に応用して来ました。これらの概要に関しては、

• ν=2/3における電子スピン/核スピンの相互作用と動的核スピン偏極

  （ SpinInteractionTwoThird.pdf： 313 KB）

• 抵抗検出高感度NMR

  （ RDNMRprinciple.pdf： 349 KB）

をご覧ください。またこれらを発展させた研究成果としては

• 二重量子井戸における核スピン拡散

  （ Nucleardiffusion.pdf： 240 KB）

• 核スピン系と南部・ゴールドストーンモードを有する電子スピン系の多体相関

  （ Dickesuper.pdf： 218 KB）

• 光誘起核スピン偏極の抵抗検出

  （ Opticalnuclearpol.pdf： 255 KB）

をご覧ください。また、核スピン偏極、検出は量子ホールブレークダウンを用いても可能であり、

• 電界による核スピン共鳴

  （ NER.pdf： 233 KB）

では測定範囲を広げるためにこの技術も用いています。抵抗検出NMR（RDNMR）は量子ポイントコンタクトのようなナノ構造へも応用可能です。例えば、

• GaAs量子ポイントコンタクト（QPC）におけるRDNMR

  （ FundamentalFeatureAtNu=2.pdf： 233 KB）

があります。また、ナノプローブを用いたミクロスコピックな物性測定にも力を入れており、

• STMによる量子ホール遷移の実空間観察

  （ QHESTMobservation.pdf： 159 KB）

の成果があります。GaAs系以外ではInSb系の研究を積極的に推進しており、

• InSb二次元系における高感度抵抗検出NMR

  （ InSbRDNMR.pdf： 366 KB）

• ν =2量子ホール強磁性における核スピン偏極の基礎物性の解明

  （ RDNMRQPC.pdf： 224 KB）

• ALDゲート絶縁膜によるInSb量子井戸のゲート制御

  （ InSbGatecontrol.pdf： 224 KB）

の成果があります。また、物性研究の基礎や新しいナノ構造の研究として、

• Si二次元電子系の谷制御と二次元物性への影響

  （ valleyfreedom.pdf： 226 KB）

• 量子ポイントコンタクト（QPC）に関する様々な研究

  （ QPChomepagever2.pdf： 253 KB）

があります。また、次に記すスピン系のパルス列によるコヒーレント制御は新しい核スピン共鳴技術としても大いに期待されます。

• 多重パルス印加による雑音スペクトルの測定

  （ generalizedT2.pdf： 226 KB）