ここには、2006年東北大学に移動以降の平山グループの主な成果を掲載します。新しい成果、抜けているものにつきましては順次加えて行きます。

我々は半導体中でのキャリア相関の研究を、特に核スピンとの相互作用に着目して進めてきました。ν=2/3における電子スピン/核スピンの相互作用を用いて高感度抵抗検出NMRを確立し、様々な研究に応用して来ました。これらの概要に関しては、

をご覧ください。またこれらを発展させた研究成果としては

をご覧ください。また、核スピン偏極、検出は量子ホールブレークダウンを用いても可能であり、

では測定範囲を広げるためにこの技術も用いています。抵抗検出NMR(RDNMR)は量子ポイントコンタクトのようなナノ構造へも応用可能です。例えば、

の成果があります。GaAs系以外ではInSb系の研究を積極的に推進しており、

の成果があります。また、物性研究の基礎や新しいナノ構造の研究として、

があります。また、次に記すスピン系のパルス列によるコヒーレント制御は新しい核スピン共鳴技術としても大いに期待されます。

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